智通财经APP获悉，为应对日本数据中心市场日益严峻的能源挑战 ，软银(SFTBY.US)与英特尔(INTC.US)正联合开发新一代人工智能(AI)内存芯片 ，其功耗较现有技术可降低50% 。
据报道，双方已合资成立Saimemory公司，通过总投资100亿日元(约合7000万美元)的项目 ，计划在2020年代末实现商业化量产 。该项目专注于研发具有创新布线结构的堆叠式DRAM芯片 ，与现行高带宽内存(HBM)相比能显著降低功耗。
项目投资由软银主导出资30亿日元，日本理化学研究所及新光电气工业正考虑参与合作。报道指出 ，该合资企业将整合英特尔的技术专利 ，并吸收东京大学等日本学术机构的研究成果 。
当前HBM市场由韩国SK海力士和三星电子(SSNLF.US)主导，但其生产技术面临良率低、成本高 、能耗大等痛点 ，导致日本企业难以获得稳定供应 。软银高管在报道中强调：“我们必须确保供应优先权 ” ，凸显该技术对公司AI数据中心战略布局的关键意义。
这一合作标志着日本半导体产业的复兴雄心 。自1980年代失去70%以上的DRAM市场份额后，日本最后一家DRAM制造商尔必达于2013年破产后被美光科技(MU.US)收购 。软银计划将新型内存技术应用于AI训练数据中心 ，以应对海量数据处理的高算力需求。该公司近期斥资6.76亿美元收购夏普LCD工厂 ，拟在大阪建设150兆瓦级AI数据中心，以深化与OpenAI的合作关系并完善其AI基础设施战略布局 。
（：贺
